KP809B1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP809B1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-218
Búsqueda de reemplazo de KP809B1 MOSFET
KP809B1 Datasheet (PDF)
kp809a kp809b kp809v kp809g kp809d kp809e kp809a1 kp809b1 kp809v1 kp809g1 kp809d1 kp809e1 kp809b1-5 kp809b2-5.pdf

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History: 2N6801-SM | SML5085AN | AON6452 | DMG1016V | DN3134KW
History: 2N6801-SM | SML5085AN | AON6452 | DMG1016V | DN3134KW



Liste
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