KP809V1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP809V1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-218
Búsqueda de reemplazo de KP809V1 MOSFET
KP809V1 Datasheet (PDF)
kp809a kp809b kp809v kp809g kp809d kp809e kp809a1 kp809b1 kp809v1 kp809g1 kp809d1 kp809e1 kp809b1-5 kp809b2-5.pdf

Otros transistores... KP778B , KP778V , KP801B , KP809A , KP809A1 , KP809B , KP809B1 , KP809V , AON7408 , KP809G , KP809G1 , KP809D , KP809D1 , KP809E , KP809E1 , KP813A , KP813B .
History: STH140N6F7 | HY3810B | STB80NF55-06T | NCE1230SP | SPP6507S26RGB | STB80NF03L-04 | MTD2955VT4
History: STH140N6F7 | HY3810B | STB80NF55-06T | NCE1230SP | SPP6507S26RGB | STB80NF03L-04 | MTD2955VT4



Liste
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