KP809D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP809D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-218
Búsqueda de reemplazo de KP809D1 MOSFET
KP809D1 Datasheet (PDF)
kp809a kp809b kp809v kp809g kp809d kp809e kp809a1 kp809b1 kp809v1 kp809g1 kp809d1 kp809e1 kp809b1-5 kp809b2-5.pdf

Otros transistores... KP809A1 , KP809B , KP809B1 , KP809V , KP809V1 , KP809G , KP809G1 , KP809D , IRFP260 , KP809E , KP809E1 , KP813A , KP813B , KP901A , KP901B , KP902A , KP903A .
History: STP7N95K3 | IPP065N06LG | IRF510A | NCE6004 | SFP055N100C2 | SRT10N047HT | NTGS3130N
History: STP7N95K3 | IPP065N06LG | IRF510A | NCE6004 | SFP055N100C2 | SRT10N047HT | NTGS3130N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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