SPP100N08S2L-07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPP100N08S2L-07
Código: PN08L07
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 185 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SPP100N08S2L-07 MOSFET
SPP100N08S2L-07 Datasheet (PDF)
spp100n08s2l-07 spb100n08s2l-07.pdf

SPP100N08S2L-07SPB100N08S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS75 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 6.5 m Enhancement modeID 100 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N08S2L-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6045PN08L07SPB100N0
spp100n08s2-07 spb100n08s2-07.pdf

SPP100N08S2-07SPB100N08S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS75 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 6.8 m Enhancement modeID 100 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N08S2-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6044PN0807SPB100N08S2-07 P- TO263 -3-2
spp100n06s2-05 spb100n06s2-05.pdf

SPP100N06S2-05SPB100N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.7 m Enhancement modeID 100 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6048PN0605SPB100N06S2-05 P- TO263 -3-2
spp100n06s2l-05 spb100n06s2l-05.pdf

SPP100N06S2L-05SPB100N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.4 m Enhancement modeID 100 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N06S2L-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6043PN06L05SPB100N0
Otros transistores... KP901B , KP902A , KP903A , KP903B , KP903V , DN3134KW , QM3058M6 , QM3056M6 , RFP50N06 , SPB100N08S2L-07 , CEF02N65D , CEP02N65D , CEB02N65D , HYG055N08NS1P , HYG055N08NS1B , HY1808AP , HY1808AM .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
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