QN3107M6N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QN3107M6N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 22 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 31.4 nC
Tiempo de elevación (tr): 44.6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1086 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0026 Ohm
Paquete / Caja (carcasa): PRPAK5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET QN3107M6N
QN3107M6N Datasheet (PDF)
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QN3107M6N N-Channel 30V Fast Switching MOSFET General Description Product Summary The QN3107M6N is the highest performance RDSON ID BVDSS trench N-Channel MOSFET with extreme high (VGS=10V) (TC=25) cell density , which provide excellent RDSON 30V 2.6m 110A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QN3107M6N meet
9.1. qn3109m6n.pdf Size:259K _1
QN3109M6NN N-Channel 30V Fast Switching MOSFET General Description Product Summary The QN3109M6N is the highest performance RDSON ID BVDSS trench N-Channel MOSFET with extreme high (VGS=10V) (TC=25) cell density, which provide excellent RDSON 30V 1.5m 154A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QN3109M6N mee
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Liste
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