QN3107M6N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QN3107M6N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 31.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 44.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1086 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0026 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): PRPAK5X6

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QN3107M6N Datasheet (PDF)

..1. qn3107m6n.pdf Size:312K _1

QN3107M6N N-Channel 30V Fast Switching MOSFET General Description Product Summary The QN3107M6N is the highest performance RDSON ID BVDSS trench N-Channel MOSFET with extreme high (VGS=10V) (TC=25) cell density , which provide excellent RDSON 30V 2.6m 110A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QN3107M6N meet

9.1. qn3109m6n.pdf Size:259K _1

QN3109M6NN N-Channel 30V Fast Switching MOSFET General Description Product Summary The QN3109M6N is the highest performance RDSON ID BVDSS trench N-Channel MOSFET with extreme high (VGS=10V) (TC=25) cell density, which provide excellent RDSON 30V 1.5m 154A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QN3109M6N mee

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Liste

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