HM13N50 Todos los transistores

 

HM13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HM13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  cn hmsemi
 hm13n50 hm13n50f.pdf pdf_icon

HM13N50

HM13N50 / HM13N50FHM13N50 / HM13N50F500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 13.0A, 500V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC)This advanced technology has been espe cially tailored to Fast witchingsminimize o n-state r esistance, pr ovide superior

 9.1. Size:47K  chenmko
 chm13n07pagp.pdf pdf_icon

HM13N50

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM13N07PAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 70 Volts CURRENT 11 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power

Otros transistores... HM120N04I , HM120N04K , HM12N15I , HM12N20D , HM12N60 , HM12N60F , HM12N65 , HM12N65F , IRFP260N , HM13N50F , HM13P10 , HM13P10K , HM1404 , HM1404B , HM1404C , HM1404D , HM150N03 .

History: NX3008PBKV | SM2F04NSU | SI8816EDB | HGK110N20S

 

 
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