HM13N50 Todos los transistores

 

HM13N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM13N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: TO220

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HM13N50 datasheet

 ..1. Size:349K  cn hmsemi
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HM13N50

HM13N50 / HM13N50F HM13N50 / HM13N50F 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 13.0A, 500V, RDS(on) = 0.48 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC) This advanced technology has been espe cially tailored to Fast witching s minimize o n-state r esistance, pr ovide superior

 9.1. Size:47K  chenmko
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HM13N50

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM13N07PAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 70 Volts CURRENT 11 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power

Otros transistores... HM120N04I , HM120N04K , HM12N15I , HM12N20D , HM12N60 , HM12N60F , HM12N65 , HM12N65F , IRLZ44N , HM13N50F , HM13P10 , HM13P10K , HM1404 , HM1404B , HM1404C , HM1404D , HM150N03 .

History: RV1C002UN | AOWF9N70 | AOWF11C60 | IRFBC20PBF | DH009N02F

 

 

 

 

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