HM15P10D Todos los transistores

 

HM15P10D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM15P10D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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HM15P10D datasheet

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HM15P10D

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =- A RDS(ON)

 9.1. Size:646K  cn hmsemi
 hm15p55k.pdf pdf_icon

HM15P10D

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

Otros transistores... HM150N03 , HM150N03D , HM150N03K , HM15N02Q , HM15N10D , HM15N10K , HM15N50 , HM15N50F , IRF9540 , HM15P55K , HM1607 , HM1607D , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F .

History: 2SK1502 | DMP2004K

 

 

 

 

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