Справочник MOSFET. HM15P10D

 

HM15P10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM15P10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM15P10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:722K  cn hmsemi
 hm15p10d.pdf pdf_icon

HM15P10D

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =- A RDS(ON)

 9.1. Size:646K  cn hmsemi
 hm15p55k.pdf pdf_icon

HM15P10D

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TPP60R840C | WMN16N70SR | SSFD6035 | SI9926DY | AP15N03GI | VBM2658 | PE5E6BA

 

 
Back to Top

 


 
.