Справочник MOSFET. HM15P10D

 

HM15P10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM15P10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для HM15P10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM15P10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:722K  cn hmsemi
 hm15p10d.pdf pdf_icon

HM15P10D

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =- A RDS(ON)

 9.1. Size:646K  cn hmsemi
 hm15p55k.pdf pdf_icon

HM15P10D

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM150N03 , HM150N03D , HM150N03K , HM15N02Q , HM15N10D , HM15N10K , HM15N50 , HM15N50F , K3569 , HM15P55K , HM1607 , HM1607D , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F .

History: DH009N02P | PM597BA | TPP60R840C

 

 
Back to Top

 


 
.