HM15P10D - описание и поиск аналогов

 

HM15P10D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM15P10D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для HM15P10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM15P10D даташит

 ..1. Size:722K  cn hmsemi
 hm15p10d.pdf pdf_icon

HM15P10D

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =- A RDS(ON)

 9.1. Size:646K  cn hmsemi
 hm15p55k.pdf pdf_icon

HM15P10D

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM150N03 , HM150N03D , HM150N03K , HM15N02Q , HM15N10D , HM15N10K , HM15N50 , HM15N50F , IRF9540 , HM15P55K , HM1607 , HM1607D , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F .

History: JMSH1008PK | BSZ15DC02KD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.