HM15P55K Todos los transistores

 

HM15P55K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM15P55K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TO252

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HM15P55K datasheet

 ..1. Size:646K  cn hmsemi
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HM15P55K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-15A RDS(ON)

 9.1. Size:722K  cn hmsemi
 hm15p10d.pdf pdf_icon

HM15P55K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =- A RDS(ON)

Otros transistores... HM150N03D , HM150N03K , HM15N02Q , HM15N10D , HM15N10K , HM15N50 , HM15N50F , HM15P10D , AON7408 , HM1607 , HM1607D , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D .

History: SMG2319P | APT45M100J | 2SK1638

 

 

 

 

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