HM16P12D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM16P12D
   Código: 1612
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM16P12D

HM16P12D Datasheet (PDF)

..1. Size:581K cn hmsemi
hm16p12d.pdf

HM16P12D P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = -12V,ID = -16A RDS(ON)

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 3N65LU

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: