HM16P12D Todos los transistores

 

HM16P12D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM16P12D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM16P12D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  cn hmsemi
 hm16p12d.pdf pdf_icon

HM16P12D

HM16P12D P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM16P12D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = -12V,ID = -16A RDS(ON)

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HM2N10 | FDB6690S | SIHP22N65E | HM25P04K | PDN2309S | RUH1H130S | 2SK2907-01

 

 
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