HM180N02K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM180N02K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 185 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 70 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.002 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM180N02K
HM180N02K Datasheet (PDF)
hm180n02k.pdf
HM180N02KN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM180N02K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)
hm180n02d.pdf
HM180N02DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM180N02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)
hm180n02.pdf
HM180N02N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)
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