HM18P10K Todos los transistores

 

HM18P10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM18P10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM18P10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  cn hmsemi
 hm18p10k.pdf pdf_icon

HM18P10K

8 K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-18A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:514K  cn hmsemi
 hm18p10.pdf pdf_icon

HM18P10K

HM18P10P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM18P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-18A Schematic diagram RDS(ON)

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History: HM1P10MR | 2SK2907-01 | SIHP22N65E | HM25P04K | FDB6690S | RUH1H130S | PDN2309S

 

 
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