HM18P10K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM18P10K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: TO220
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HM18P10K datasheet
hm18p10k.pdf
8 K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-18A Schematic diagram RDS(ON)
hm18p10.pdf
HM18P10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM18P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-18A Schematic diagram RDS(ON)
Otros transistores... HM18DN03Q , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , IRF530 , HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR .
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