HM1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM1N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 46 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 19 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM1N60
HM1N60 Datasheet (PDF)
hm1n60.pdf
N N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS Package 0.5 A TO-92 ID 1.0 A IPAK/DPKAVDSS 600 V RdsonVgs=10V 15 Qg 6.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballastsbased on half bridge FEATU
hm1n60r.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N60RGeneral Description VDSS 600 VHM1N60R, the silicon N-channel EnhancedID 1.0 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit fo
hm1n60pr.pdf
Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N60 General Description VDSS 600 VHM1N60PR, the silicon N-channel EnhancedID 1.0 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circu
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
