FDMA6023PZT Todos los transistores

 

FDMA6023PZT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMA6023PZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET
 

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FDMA6023PZT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  fairchild semi
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FDMA6023PZT

June 2009FDMA6023PZTDual P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -3.6 A, 60 mFeatures General Description Max rDS(on) = 60 m at VGS = -4.5 V, ID = -3.6 A This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 80 m at VGS = -2.5 V, ID = -3.0 Aultraportable applications. It features two in

 9.1. Size:294K  fairchild semi
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FDMA6023PZT

February 2015FDMA6676PZSingle P-Channel PowerTrench MOSFET-30 V, -11 A, 13.5 mFeatures General DescriptionThis device is an ultra low resistance P-Channel FET. It is Max rDS(on) = 13.5 m @ VGS = -10 Vdesigned for power line load switching applications and reverse 25V VGS Extended Operating Ratingpolarity protection. It is especially optimized for voltage rails that c

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History: FDV301N | FDS9412 | CM1N60S | 2N7272H1 | STM121N | CM1N60C | HUF75344S3S

 

 
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