FDMA6023PZT Todos los transistores

 

FDMA6023PZT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMA6023PZT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET
 

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FDMA6023PZT datasheet

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FDMA6023PZT

June 2009 FDMA6023PZT Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -3.6 A, 60 m Features General Description Max rDS(on) = 60 m at VGS = -4.5 V, ID = -3.6 A This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other Max rDS(on) = 80 m at VGS = -2.5 V, ID = -3.0 A ultraportable applications. It features two in

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FDMA6023PZT

February 2015 FDMA6676PZ Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30 V, -11 A, 13.5 m Features General Description This device is an ultra low resistance P-Channel FET. It is Max rDS(on) = 13.5 m @ VGS = -10 V designed for power line load switching applications and reverse 25V VGS Extended Operating Rating polarity protection. It is especially optimized for voltage rails that c

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History: FDB8444F085 | FDMA520PZ | IXTN60N50L2

 

 

 


 
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