HM2369 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2369

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 191 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HM2369 datasheet

 ..1. Size:554K  cn hmsemi
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HM2369

HM2369 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P MOS VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A 25m = RDS(ON), Vgs@-6.0V, Ids@-5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Packag

 9.1. Size:119K  chenmko
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HM2369

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2362GP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High satur

Otros transistores... HM2318APR, HM2318B, HM2319, HM2319A, HM2328, HM2333, HM2341, HM2341B, STP75NF75, HM24N20, HM24N20K, HM24N20KA, HM24N50A, HM25N03D, HM25N03Q, HM25N06D, HM25N06Q