HM2369 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM2369
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для HM2369
HM2369 Datasheet (PDF)
hm2369.pdf

HM236930V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P MOS VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A 25m =RDS(ON), Vgs@-6.0V, Ids@-5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Packag
chm2362gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2362GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High satur
Другие MOSFET... HM2318APR , HM2318B , HM2319 , HM2319A , HM2328 , HM2333 , HM2341 , HM2341B , 12N60 , HM24N20 , HM24N20K , HM24N20KA , HM24N50A , HM25N03D , HM25N03Q , HM25N06D , HM25N06Q .
History: APT50M50L2FLL | LND5N50 | WMM053NV8HGS
History: APT50M50L2FLL | LND5N50 | WMM053NV8HGS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent