HM2369. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2369

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HM2369

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2369 даташит

 ..1. Size:554K  cn hmsemi
 hm2369.pdf pdf_icon

HM2369

HM2369 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P MOS VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A 25m = RDS(ON), Vgs@-6.0V, Ids@-5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Packag

 9.1. Size:119K  chenmko
 chm2362gp.pdf pdf_icon

HM2369

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2362GP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High satur

Другие IGBT... HM2318APR, HM2318B, HM2319, HM2319A, HM2328, HM2333, HM2341, HM2341B, STP75NF75, HM24N20, HM24N20K, HM24N20KA, HM24N50A, HM25N03D, HM25N03Q, HM25N06D, HM25N06Q