Справочник MOSFET. HM2369

 

HM2369 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM2369
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HM2369

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2369 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  cn hmsemi
hm2369.pdfpdf_icon

HM2369

HM236930V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P MOS VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A 25m =RDS(ON), Vgs@-6.0V, Ids@-5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Packag

 9.1. Size:119K  chenmko
chm2362gp.pdfpdf_icon

HM2369

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2362GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High satur

Другие MOSFET... HM2318APR , HM2318B , HM2319 , HM2319A , HM2328 , HM2333 , HM2341 , HM2341B , 12N60 , HM24N20 , HM24N20K , HM24N20KA , HM24N50A , HM25N03D , HM25N03Q , HM25N06D , HM25N06Q .

History: HMS4454 | IPB160N04S2L-03 | 2SK2666 | CTLDM7120-M563 | NCE70T900

 

 
Back to Top

 


 
.