HM2369 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM2369
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для HM2369
HM2369 Datasheet (PDF)
hm2369.pdf
HM236930V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P MOS VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A 25m =RDS(ON), Vgs@-6.0V, Ids@-5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Packag
chm2362gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2362GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High satur
Другие MOSFET... HM2318APR , HM2318B , HM2319 , HM2319A , HM2328 , HM2333 , HM2341 , HM2341B , STP75NF75 , HM24N20 , HM24N20K , HM24N20KA , HM24N50A , HM25N03D , HM25N03Q , HM25N06D , HM25N06Q .
History: HM2318B | AM4430N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent



