HM2369 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM2369
Маркировка: 2369
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25.6 nC
Время нарастания (tr): 12.2 ns
Выходная емкость (Cd): 191 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOT23
HM2369 Datasheet (PDF)
hm2369.pdf
HM236930V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 30V P MOS VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-6.0A 25m =RDS(ON), Vgs@-6.0V, Ids@-5.0A = 30m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.0A = 40m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Packag
chm2362gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2362GPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High satur
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C