STS2620A Todos los transistores

 

 

STS2620A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS2620A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

 Búsqueda de reemplazo de STS2620A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

 

STS2620A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  samhop
sts2620a.pdf pdf_icon

STS2620A

STS2620AaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.2Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID50 @ VGS=4.5V 106 @ VGS=-4.5V20V 2.5A -20V -2A76 @ VGS=2.5V 198 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S2S12 534G2D2S 1S 2

 7.1. Size:114K  samhop
sts2620.pdf pdf_icon

STS2620A

GPPSTS2620aS mHop Microelectronics C orp.Ver1.2Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID53 @ VGS=4.5V 103 @ VGS=-4.5V20V 2.5A -20V -2A78 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S1S22 534G2D2S

 8.1. Size:121K  samhop
sts2621.pdf pdf_icon

STS2620A

S TS 2621S amHop Microelectronics C orp.J un.6 2005Dual P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MAXR ugged and reliable.130 @ VG S = -4.5V-20V -2AS OT-26 Package.190 @ VG S = -2.5VD1 D2TS OP6Top ViewG1D161S 1 2 5 S 2G1 G234G2D2

 8.2. Size:166K  samhop
sts2622a.pdf pdf_icon

STS2620A

GreenProductSTS2622AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.60 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.20V 3.4A90 @ VGS=2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S22 5 S134G2D2S 1S 2

Otros transistores... STS3400 , FDMA7632 , STS3116E , FDMA7670 , STS2622A , FDMA7672 , STS2621 , FDMB3800N , TK10A60D , FDMB3900AN , FDMB668P , FDMC15N06 , FDMC2512SDC , FDMC2514SDC , FDMC2523P , FDMC2610 , STS2620 .

History: RSE002P03 | STS2307

 

 
Back to Top

 


History: RSE002P03 | STS2307

STS2620A
  STS2620A
  STS2620A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AGM601LL | AGM6018A | AGM6014AP | AGM6014A | AGM55P10S | AGM55P10D | AGM55P10A | AGM55N15D | AGM55N15A | AGM502 | AGM500P20D | AGM435E | AGM425ME | AGM425MD | AGM425MC | AGM425MA

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet

 


 
.