Справочник MOSFET. STS2620A

 

STS2620A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS2620A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.6 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS2620A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  samhop
sts2620a.pdfpdf_icon

STS2620A

STS2620AaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.2Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID50 @ VGS=4.5V 106 @ VGS=-4.5V20V 2.5A -20V -2A76 @ VGS=2.5V 198 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S2S12 534G2D2S 1S 2

 7.1. Size:114K  samhop
sts2620.pdfpdf_icon

STS2620A

GPPSTS2620aS mHop Microelectronics C orp.Ver1.2Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID53 @ VGS=4.5V 103 @ VGS=-4.5V20V 2.5A -20V -2A78 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S1S22 534G2D2S

 8.1. Size:121K  samhop
sts2621.pdfpdf_icon

STS2620A

S TS 2621S amHop Microelectronics C orp.J un.6 2005Dual P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MAXR ugged and reliable.130 @ VG S = -4.5V-20V -2AS OT-26 Package.190 @ VG S = -2.5VD1 D2TS OP6Top ViewG1D161S 1 2 5 S 2G1 G234G2D2

 8.2. Size:166K  samhop
sts2622a.pdfpdf_icon

STS2620A

GreenProductSTS2622AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.60 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.20V 3.4A90 @ VGS=2.5VD1 D2SOT 26Top ViewG1D161G 1G 2S22 5 S134G2D2S 1S 2

Другие MOSFET... STS3400 , FDMA7632 , STS3116E , FDMA7670 , STS2622A , FDMA7672 , STS2621 , FDMB3800N , 4435 , FDMB3900AN , FDMB668P , FDMC15N06 , FDMC2512SDC , FDMC2514SDC , FDMC2523P , FDMC2610 , STS2620 .

History: FQB12P20 | FQAF47P06 | FQA44N30 | STS65R280DS2TR | STS7NF60L | FQB2N50TM | FQB50N06

 

 
Back to Top

 


 
.