STS2620A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS2620A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT26

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для STS2620A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS2620A даташит

 ..1. Size:119K  samhop
sts2620a.pdfpdf_icon

STS2620A

STS2620A a S mHop Microelectronics C orp. Ver1.2 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID 50 @ VGS=4.5V 106 @ VGS=-4.5V 20V 2.5A -20V -2A 76 @ VGS=2.5V 198 @ VGS=-2.5V D1 D2 SOT 26 Top View G1 D1 6 1 G 1 G 2 S2 S1 2 5 3 4 G2 D2 S 1 S 2

 7.1. Size:114K  samhop
sts2620.pdfpdf_icon

STS2620A

G P P STS2620 a S mHop Microelectronics C orp. Ver1.2 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID 53 @ VGS=4.5V 103 @ VGS=-4.5V 20V 2.5A -20V -2A 78 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5V D1 D2 SOT 26 Top View G1 D1 6 1 G 1 G 2 S1 S2 2 5 3 4 G2 D2 S

 8.1. Size:121K  samhop
sts2621.pdfpdf_icon

STS2620A

S TS 2621 S amHop Microelectronics C orp. J un.6 2005 Dual P-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) MAX R ugged and reliable. 130 @ VG S = -4.5V -20V -2A S OT-26 Package. 190 @ VG S = -2.5V D1 D2 TS OP6 Top View G1 D1 6 1 S 1 2 5 S 2 G1 G2 3 4 G2 D2

 8.2. Size:166K  samhop
sts2622a.pdfpdf_icon

STS2620A

Green Product STS2622A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 60 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 20V 3.4A 90 @ VGS=2.5V D1 D2 SOT 26 Top View G1 D1 6 1 G 1 G 2 S2 2 5 S1 3 4 G2 D2 S 1 S 2

Другие IGBT... STS3400, FDMA7632, STS3116E, FDMA7670, STS2622A, FDMA7672, STS2621, FDMB3800N, TK10A60D, FDMB3900AN, FDMB668P, FDMC15N06, FDMC2512SDC, FDMC2514SDC, FDMC2523P, FDMC2610, STS2620