HM2N65R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2N65R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.5 Ohm

Encapsulados: SOT223

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HM2N65R datasheet

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HM2N65R

HM2N65R General Description VDSS 650 V HM2N65R the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 7.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

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HM2N65R

N R N-CHANNEL MOSFET HM2N60 MAIN CHARACTERISTICS Package 2.0 A ID 600 V VDSS Rdson 4.5 @Vgs=10V 6.0 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

Otros transistores... HM2N15PR, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR, HM2N20PR, HM2N20R, HM2N25, HM2N60, 20N50, HM2N70, HM2N70R, HM2P10PR, HM2P10R, HM3018, HM3018JR, HM3018KR, HM3018SR