HM2N65R Todos los transistores

 

HM2N65R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM2N65R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM2N65R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1563K  cn hmsemi
 hm2n65r.pdf pdf_icon

HM2N65R

HM2N65RGeneral Description VDSS 650 V HM2N65R the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 7.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

 9.1. Size:822K  cn hmsemi
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HM2N65R

N RN-CHANNEL MOSFET HM2N60 MAIN CHARACTERISTICS Package 2.0 A ID 600 V VDSS Rdson 4.5 @Vgs=10V6.0 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: P7502CMG | RJK0629DPK | SIHP22N65E | PDN2309S | 2SK2907-01 | RUH1H130S | FDB6690S

 

 
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