HM2P10R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM2P10R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de HM2P10R MOSFET
HM2P10R Datasheet (PDF)
hm2p10r.pdf

HM2P10R Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)
hm2p10pr.pdf

HM2P10PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)
Otros transistores... HM2N20PR , HM2N20R , HM2N25 , HM2N60 , HM2N65R , HM2N70 , HM2N70R , HM2P10PR , AON6380 , HM3018 , HM3018JR , HM3018KR , HM3018SR , HM30N02D , HM30N02K , HM30N02Q , HM30N03K .
History: UPA2350BT1P | SSF3617 | IRF6810S | NVA4001N | KHB6D0N40F2 | AP4433GM-HF | SGSP301
History: UPA2350BT1P | SSF3617 | IRF6810S | NVA4001N | KHB6D0N40F2 | AP4433GM-HF | SGSP301



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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