HM2P10R Todos los transistores

 

HM2P10R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM2P10R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM2P10R Datasheet (PDF)

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HM2P10R

HM2P10R Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)

 8.1. Size:334K  cn hmsemi
hm2p10pr.pdf pdf_icon

HM2P10R

HM2P10PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: APT17F100B | STR2N2VH5 | STD10NF30 | CEM9435A | IRFF330

 

 
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