HM2P10R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM2P10R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
HM2P10R Datasheet (PDF)
hm2p10r.pdf

HM2P10R Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)
hm2p10pr.pdf

HM2P10PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: APT17F100B | STR2N2VH5 | STD10NF30 | CEM9435A | IRFF330
History: APT17F100B | STR2N2VH5 | STD10NF30 | CEM9435A | IRFF330



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHD50N03 | DHD3N90 | DHD3205A | DHD16N06 | DHD100N03B13 | DHD035N04 | DHD015N06 | DHBZ24B31 | DHBSJ7N65 | DHBSJ5N65 | DHBSJ13N65 | DHBSJ11N65 | DHB9Z24 | DHB90N045R | DHB90N03B17 | DHB8290
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