HM30P55 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

HM30P55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM30P55

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO220

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HM30P55 datasheet

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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-30A RDS(ON)

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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =-55V,ID =-30A RDS(ON)

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HM30P03Q -30VDS 20VGS -30A(ID) P-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description Pin Description VDSS=-30V VGSS= 20V ID=-30A RDS(ON)=14m (max.)@VGS=-10V RDS(ON)=22m (max.)@VGS=-4.5V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter

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