HM32N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM32N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 256 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 32 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 50 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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HM32N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:3392K cn hmsemi
hm32n20 hm32n20f.pdf
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/ 200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using True semis - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
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