HM3N40PR Todos los transistores

 

HM3N40PR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM3N40PR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM3N40PR Datasheet (PDF)

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HM3N40PR

HM3N40PR Silicon N-Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 400 V HM3N40PR, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ci

 8.1. Size:884K  cn hmsemi
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HM3N40PR

HM3N40R Silicon N-Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 400 V HM3N40R, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circ

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History: HCW60R290 | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | VBFB165R02 | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004

 

 
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