HM3N40R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM3N40R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: SOT223

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HM3N40R datasheet

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HM3N40R

HM3N40R Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 400 V HM3N40R, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circ

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HM3N40R

HM3N40PR Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 400 V HM3N40PR, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ci

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