HM40P04K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM40P04K  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HM40P04K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HM40P04K datasheet

 ..1. Size:984K  cn hmsemi
 hm40p04k.pdf pdf_icon

HM40P04K

HM40P04K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P04K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features Schematic diagram VDS =-40V,ID =-40A RDS(ON)

 8.1. Size:357K  cn hmsemi
 hm40p06k.pdf pdf_icon

HM40P04K

HM40P06K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P06K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-60V,ID =-40A RDS(ON)

Otros transistores... HM40N06D, HM40N10, HM40N10K, HM40N10KA, HM40N15K, HM40N15KA, HM40N20, HM40N20D, IRF1405, HM40P06K, HM4110, HM4110T, HM4240, HM4260, HM4264, HM4264B, HM4302