HM4240 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM4240  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HM4240 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HM4240 datasheet

 ..1. Size:878K  cn hmsemi
 hm4240.pdf pdf_icon

HM4240

HM4240 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4240 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =20A RDS(ON)

Otros transistores... HM40N15K, HM40N15KA, HM40N20, HM40N20D, HM40P04K, HM40P06K, HM4110, HM4110T, IRFZ24N, HM4260, HM4264, HM4264B, HM4302, HM4302B, 2SK68A, CRJF390N65GC, HCA60R150T