HM4240 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM4240

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 40 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 50 nC

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0066 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): SOP8

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HM4240 Datasheet (PDF)

..1. hm4240.pdf Size:878K _cn_hmsemi

HM4240N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4240 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =20A RDS(ON)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF1405 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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