HM4402E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM4402E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 232 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM4402E

HM4402E Datasheet (PDF)

..1. Size:489K cn hmsemi
hm4402e.pdf

HM4402EDescription The HM4402E uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =14A RDS(ON)

8.1. Size:464K cn hmsemi
hm4402c.pdf

HM4402CN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4402C uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =12A Schematic diagram RDS(ON)

8.2. Size:621K cn hmsemi
hm4402b.pdf

HM4402BN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4402B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =21A Schematic diagram RDS(ON)

8.3. Size:626K cn hmsemi
hm4402a.pdf

H Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID = A RDS(ON)

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Liste

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