FDMC5614P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMC5614P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: POWER33

 Búsqueda de reemplazo de FDMC5614P MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDMC5614P datasheet

 ..1. Size:506K  fairchild semi
 fdmc5614p.pdf pdf_icon

FDMC5614P

September 2010 FDMC5614P tm P-Channel PowerTrench MOSFET -60V, -13.5A, 100m Features General Description Max rDS(on) = 100m at VGS = -10V, ID = -5.7A This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process. It has been Max rDS(on) = 135m at VGS = -4.5V, ID = -4.4A optimized for power management applications requiring a wi

 9.1. Size:307K  fairchild semi
 fdmc510p.pdf pdf_icon

FDMC5614P

June 2010 FDMC510P P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.0 m Features General Description Max rDS(on) = 8.0 m at VGS = -4.5 V, ID = -12 A This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 9.8 m at VGS = -2.5 V, ID = -10 A been optimized for rDS(ON), switching performance and Max rDS(on) =

Otros transistores... STS2620, FDMC2674, FDMC3020DC, STS2601, FDMC3612, STS2309A, FDMC4435BZ, FDMC510P, STF13NM60N, FDMC6296, STS2308A, FDMC6675BZ, FDMC6679AZ, FDMC6890NZ, FDMC7570S, FDMC7572S, FDMC7660