FDMC5614P Todos los transistores

 

FDMC5614P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMC5614P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWER33
 

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FDMC5614P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  fairchild semi
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FDMC5614P

September 2010FDMC5614PtmP-Channel PowerTrench MOSFET -60V, -13.5A, 100mFeatures General Description Max rDS(on) = 100m at VGS = -10V, ID = -5.7AThis P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process. It has been Max rDS(on) = 135m at VGS = -4.5V, ID = -4.4Aoptimized for power management applications requiring a wi

 9.1. Size:307K  fairchild semi
 fdmc510p.pdf pdf_icon

FDMC5614P

June 2010FDMC510PP-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.0 mFeatures General Description Max rDS(on) = 8.0 m at VGS = -4.5 V, ID = -12 AThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 9.8 m at VGS = -2.5 V, ID = -10 Abeen optimized for rDS(ON), switching performance and Max rDS(on) =

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SSU1N50 | IXTP1N80

 

 
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