HM45N02Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM45N02Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 17.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM45N02Q

HM45N02Q Datasheet (PDF)

..1. Size:972K cn hmsemi
hm45n02q.pdf

HM45N02QDescription The HM45N02Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =45A RDS(ON)

7.1. Size:1168K cn hmsemi
hm45n02d.pdf

HM45N02DDescription The HM45N02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =45A RDS(ON)

8.1. Size:669K cn hmsemi
hm45n06d.pdf

HM45N06D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM45N06D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 60V,ID =35A RDS(ON)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: