2SK2529 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2529
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1760 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: TO220F
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2SK2529 datasheet
2sk2529.pdf
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N-channel MOS-FET 2SK2522-01MR FAP-II Series 200V 0,18 18A 40W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equ
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Liste
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