HM4892B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM4892B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM4892B

HM4892B Datasheet (PDF)

..1. Size:567K cn hmsemi
hm4892b.pdf

HM4892BFeatures Package DimensionsLow On resistance.4.5V drive.RoHS compliant.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at T =250CaParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage V 100 VDSSGate-to-Source Voltage V +20 VGSSDrain Current (DC) I 8 ADDrain Current (Pulse) I PW10uS, duty cycle1% 32 ADPAllowable Power Dissipation P Mounted on

8.1. Size:342K chenmko
chm4892jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM4892JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 12 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

8.2. Size:1047K cn hmsemi
hm4892a.pdf

HM4892A 100VDS20VGS6.5A(ID) Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VDSS=100VVGSS=20VID=6.5A RDS(ON)=37m(max.)@VGS=10V Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Low On-Resistance Schematic diagram Applications Power Management in Inverter System Boost for LED Backlight H

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Liste

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