HM4N150T Todos los transistores

 

HM4N150T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM4N150T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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HM4N150T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  cn hmsemi
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HM4N150T

HM4N150TN-Channel MOSFET Features 1500V,4A,Rds(on)

 9.1. Size:611K  cn hmsemi
 hm4n10pr.pdf pdf_icon

HM4N150T

HM4N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID = 4A RDS(ON)

Otros transistores... HM4922 , HM4953 , HM4953A , HM4953B , HM4953C , HM4953D , HM4963 , HM4N10PR , IRF1404 , HM4N60 , HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I , HM4N65K .

History: BUK7E04-40A | GSM2341 | BUK7E1R6-30E | GSM2343A | AP9952GP-HF | MDS1656URH | 2SK3614

 

 
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