HM4N150T - описание и поиск аналогов

 

HM4N150T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM4N150T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для HM4N150T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4N150T даташит

 ..1. Size:724K  cn hmsemi
 hm4n150t.pdf pdf_icon

HM4N150T

HM4N150T N-Channel MOSFET Features 1500V,4A,Rds(on)

 9.1. Size:611K  cn hmsemi
 hm4n10pr.pdf pdf_icon

HM4N150T

HM4N10PR N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID = 4A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM4922 , HM4953 , HM4953A , HM4953B , HM4953C , HM4953D , HM4963 , HM4N10PR , IRF1404 , HM4N60 , HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I , HM4N65K .

History: HM4963 | SUP60N06-12P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.