HM4N70F Todos los transistores

 

HM4N70F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM4N70F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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HM4N70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:785K  cn hmsemi
 hm4n70f.pdf pdf_icon

HM4N70F

General Description VDSS 700 V HM4N70F the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

Otros transistores... HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I , HM4N65K , HM4N65R , IRFP250N , HM4N90I , HM5001 , HM50N03 , HM50N03I , HM50N03K , HM50N06 , HM50N06A , HM50N06D .

History: 2SK3680-01 | BSZ12DN20NS3G | SI4362BDY | 2SK2901-01S | GSM3407S | 2SK3582TK | 2SK3479-ZJ

 

 
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