HM4N70F Todos los transistores

 

HM4N70F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM4N70F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO220F

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HM4N70F datasheet

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HM4N70F

General Description VDSS 700 V HM4N70F the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

Otros transistores... HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I , HM4N65K , HM4N65R , IRFB4115 , HM4N90I , HM5001 , HM50N03 , HM50N03I , HM50N03K , HM50N06 , HM50N06A , HM50N06D .

 

 

 

 

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