HM5N06AR Todos los transistores

 

HM5N06AR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM5N06AR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT223

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HM5N06AR datasheet

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HM5N06AR

HM5N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM5N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A S RDS(ON)

 8.1. Size:669K  cn hmsemi
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HM5N06AR

HM5N06PR NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM5N06PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A S RDS(ON)

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HM5N06AR

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