HM5N06AR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM5N06AR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 8.5 nC
Tiempo de subida (tr): 2.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM5N06AR
HM5N06AR Datasheet (PDF)
hm5n06ar.pdf
HM5N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)
hm5n06pr.pdf
HM5N06PRNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)
hm5n06r.pdf
HM5N06RNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)
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Liste
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