HM5N06AR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM5N06AR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.5 nC
Время нарастания (tr): 2.3 ns
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOT223
HM5N06AR Datasheet (PDF)
hm5n06ar.pdf
HM5N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)
hm5n06pr.pdf
HM5N06PRNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)
hm5n06r.pdf
HM5N06RNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
