STS2306A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS2306A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS2306A

STS2306A Datasheet (PDF)

..1. Size:139K samhop
sts2306a.pdf

GreenProductS TS 2306AS amHop Microelectronics C orp.Apr. 27 2010 Ver1.1N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.40 @ VG S = 4.5V20V 4.5A S urface Mount Package.50 @ VG S = 2.5VE S D Protected.DSOT-23-3LGSABS OLUTE MA

7.1. Size:136K samhop
sts2306e.pdf

GreenProductS TS 2306ES amHop Microelectronics C orp.J an. 10 2008 Ver1.0N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.30 @ VG S = 4.5V20V 6.5A S urface Mount Package.40 @ VG S = 2.5VE S D Protected.DS OT-23GSABS OLUTE MAX

7.2. Size:134K samhop
sts2306.pdf

GreenProductS TS 2306S amHop Microelectronics C orp.Apr,21 2005 ver1.2N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.45 @ VG S = 4.5V20V 2.8AS OT-23 package.60 @ VG S =2.5VDS OT-23GSABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless o

7.3. Size:879K cn vbsemi
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STS2306www.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC C

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Liste

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