STS2306A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS2306A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Общий заряд затвора (Qg): 4.6 nC
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOT23
STS2306A Datasheet (PDF)
sts2306a.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductS TS 2306AS amHop Microelectronics C orp.Apr. 27 2010 Ver1.1N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.40 @ VG S = 4.5V20V 4.5A S urface Mount Package.50 @ VG S = 2.5VE S D Protected.DSOT-23-3LGSABS OLUTE MA
sts2306e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductS TS 2306ES amHop Microelectronics C orp.J an. 10 2008 Ver1.0N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.30 @ VG S = 4.5V20V 6.5A S urface Mount Package.40 @ VG S = 2.5VE S D Protected.DS OT-23GSABS OLUTE MAX
sts2306.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductS TS 2306S amHop Microelectronics C orp.Apr,21 2005 ver1.2N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.45 @ VG S = 4.5V20V 2.8AS OT-23 package.60 @ VG S =2.5VDS OT-23GSABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless o
sts2306.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STS2306www.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC C
Другие MOSFET... FDMC6890NZ , FDMC7570S , FDMC7572S , FDMC7660 , STS2307 , STS2306E , FDMC7660DC , FDMC7660S , 7N60 , FDMC7664 , STS2306 , FDMC7672 , STS2305A , FDMC7672S , STS2305 , FDMC7678 , STS2302A .