HM5N06R Todos los transistores

 

HM5N06R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM5N06R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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HM5N06R Datasheet (PDF)

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HM5N06R

HM5N06RNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)

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HM5N06R

HM5N06PRNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)

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 hm5n06ar.pdf pdf_icon

HM5N06R

HM5N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)

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History: SVS14N60TD2 | IXFH5N100P | HMS150N04D | P1610AD

 

 
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