Справочник MOSFET. HM5N06R

 

HM5N06R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5N06R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HM5N06R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N06R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  cn hmsemi
 hm5n06r.pdf pdf_icon

HM5N06R

HM5N06RNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)

 8.1. Size:669K  cn hmsemi
 hm5n06pr.pdf pdf_icon

HM5N06R

HM5N06PRNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)

 8.2. Size:492K  cn hmsemi
 hm5n06ar.pdf pdf_icon

HM5N06R

HM5N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM5N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =5A SRDS(ON)

Другие MOSFET... HM50P03K , HM50P06 , HM50P06K , HM530 , HM55N03D , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , IRLB4132 , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K , HM5N30PR , HM5N30R , HM5N50I , HM5N50K , HM5N60 .

History: PSMN5R0-100PS | IRFS621 | AFN08N50T220T | MMQ60R115PTH | IRF540ZSPBF | VBE1638

 

 
Back to Top

 


 
.