HM610AK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM610AK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM610AK
HM610AK Datasheet (PDF)
hm610ak.pdf
Features Package Dimensions TO-252-4L Low On resistance. 4.5V drive. RoHS compliant. Specifications Absolute Maximum Ratings at T =250C a 1 Parameter Symbol Conditions N-Ch P-Ch Unit Drain-to-Source Voltage V 100 -100 V DSS Gate-to-Source Voltage V +25 +25 V GSS Drain Current (DC) I 8 -5 A D Drain Current (Pulse) I PW 10uS, duty cycle 1% 28 25 A DP
chm610adpagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM610ADPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 10 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High powe
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Liste
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