HM610AK Todos los transistores

 

HM610AK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM610AK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM610AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:874K  cn hmsemi
 hm610ak.pdf pdf_icon

HM610AK

Features Package DimensionsTO-252-4LLow On resistance.4.5V drive.RoHS compliant.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at T =250Ca1 Parameter Symbol Conditions N-Ch P-Ch UnitDrain-to-Source Voltage V 100 -100 VDSSGate-to-Source Voltage V +25 +25 VGSSDrain Current (DC) I 8 -5 ADDrain Current (Pulse) I PW10uS, duty cycle1% 28 25 ADP

 8.1. Size:91K  chenmko
 chm610adpagp.pdf pdf_icon

HM610AK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM610ADPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 10 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High powe

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCE0250D | WSF20P03 | IPI80CN10NG

 

 
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