HM610AK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM610AK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO252-4L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM610AK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM610AK даташит

 ..1. Size:874K  cn hmsemi
 hm610ak.pdf pdf_icon

HM610AK

Features Package Dimensions TO-252-4L Low On resistance. 4.5V drive. RoHS compliant. Specifications Absolute Maximum Ratings at T =250C a 1 Parameter Symbol Conditions N-Ch P-Ch Unit Drain-to-Source Voltage V 100 -100 V DSS Gate-to-Source Voltage V +25 +25 V GSS Drain Current (DC) I 8 -5 A D Drain Current (Pulse) I PW 10uS, duty cycle 1% 28 25 A DP

 8.1. Size:91K  chenmko
 chm610adpagp.pdf pdf_icon

HM610AK

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM610ADPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 10 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High powe

Другие IGBT... HM60N05K, HM60N06, HM60N06K, HM60N08, HM60N10D, HM60N20, HM60N20D, HM60N75K, 3401, HM640, HM6400, HM6401, HM6408, HM6409, HM6602, HM6604, HM6620