HM6N10R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM6N10R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM6N10R
HM6N10R Datasheet (PDF)
hm6n10r.pdf
HM6N10R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM6N10R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)
Otros transistores... HM6620 , HM6800 , HM6801 , HM6803 , HM6804 , HM6804D , HM6N10 , HM6N10PR , IRFP460 , HM6N70 , HM6N70F , HM6N70I , HM6N70K , HM6N80K , HM6N90 , HM7000 , HM7002 .
History: HM6N70F | BL25N40-P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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