HM6N10R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM6N10R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 15.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 7.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM6N10R

HM6N10R Datasheet (PDF)

..1. Size:586K cn hmsemi
hm6n10r.pdf

HM6N10RN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM6N10R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

8.1. Size:682K cn hmsemi
hm6n10.pdf

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = 100V,ID = 6A RDS(ON)

8.2. Size:814K cn hmsemi
hm6n10pr.pdf

HM6N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM6N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

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Liste

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