HM6N10R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM6N10R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT223
HM6N10R Datasheet (PDF)
..1. Size:586K cn hmsemi
hm6n10r.pdf
hm6n10r.pdf
HM6N10R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM6N10R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)
Другие MOSFET... HM6620 , HM6800 , HM6801 , HM6803 , HM6804 , HM6804D , HM6N10 , HM6N10PR , IRFP460 , HM6N70 , HM6N70F , HM6N70I , HM6N70K , HM6N80K , HM6N90 , HM7000 , HM7002 .
History: HM6N70F | BL25N40-P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent