HM6N10R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM6N10R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM6N10R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6N10R даташит

 ..1. Size:586K  cn hmsemi
 hm6n10r.pdf pdf_icon

HM6N10R

HM6N10R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM6N10R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:682K  cn hmsemi
 hm6n10.pdf pdf_icon

HM6N10R

 8.2. Size:814K  cn hmsemi
 hm6n10pr.pdf pdf_icon

HM6N10R

Другие IGBT... HM6620, HM6800, HM6801, HM6803, HM6804, HM6804D, HM6N10, HM6N10PR, 50N06, HM6N70, HM6N70F, HM6N70I, HM6N70K, HM6N80K, HM6N90, HM7000, HM7002