HM85P02K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM85P02K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 55 nC
   Tiempo de subida (tr): 42 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 577 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM85P02K

HM85P02K Datasheet (PDF)

..1. Size:1007K cn hmsemi
hm85p02k.pdf

HM85P02KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM85P02K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-85A Schematic diagram RDS(ON)

7.1. Size:1085K cn hmsemi
hm85p02.pdf

HM85P02P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM85P02 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-85A Schematic diagram RDS(ON)

7.2. Size:430K cn hmsemi
hm85p02d.pdf

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM85P02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-85A Schematic diagram RDS(ON)

8.1. Size:684K cn hmsemi
hm85p03k.pdf