HM85P02K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM85P02K 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 577 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: TO252
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HM85P02K datasheet
hm85p02k.pdf
HM85P02K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM85P02K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-85A Schematic diagram RDS(ON)
hm85p02.pdf
HM85P02 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM85P02 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-85A Schematic diagram RDS(ON)
hm85p02d.pdf
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM85P02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-85A Schematic diagram RDS(ON)
hm85p03k.pdf
HM85P03K -30VDS 25VGS 85A(ID) P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= -30V VGSS= 25V ID=85A RDS(ON)
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: APT8024LFLLG | NTZD3155CT2G
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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