STS126 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS126  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.312 Ohm

Encapsulados: SOT23

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STS126 datasheet

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STS126

Gre r r P Pr Pr Pro STS126 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. Surface Mount Package. 100V 1.4A 312 @ VGS=10V D SOT-23 G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Sym

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STS126

STS12NH3LL N-channel 30 V - 0.008 - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STS12NH3LL 30 V

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STS126

STS12NF30L N-channel 30V - 0.008 - 12A SO-8 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STS12NF30L 30V

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STS126

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