STS126. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STS126
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.312 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для STS126
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STS126 даташит
sts126.pdf
Gre r r P Pr Pr Pro STS126 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. Surface Mount Package. 100V 1.4A 312 @ VGS=10V D SOT-23 G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Sym
sts12nh3ll.pdf
STS12NH3LL N-channel 30 V - 0.008 - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STS12NH3LL 30 V
sts12nf30l.pdf
STS12NF30L N-channel 30V - 0.008 - 12A SO-8 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STS12NF30L 30V
Другие MOSFET... STS2302A , FDMC7680 , STS2301A , FDMC7692 , STS2301 , FDMC7692S , STS2300S , FDMC7696 , IRF3205 , FDMC8015L , FDMC8026S , STP80L60 , FDMC8200 , STP70L60 , FDMC8200S , STP656F , FDMC8462 .
History: IRFV460 | LNH7N60D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor




