STS126 - аналоги и даташиты транзистора

 

STS126 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STS126
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.312 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для STS126

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS126 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  samhop
 sts126.pdf pdf_icon

STS126

GrerrPPrPrProSTS126aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.Surface Mount Package.100V 1.4A 312 @ VGS=10VDSOT-23GS(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSym

 9.1. Size:335K  st
 sts12nh3ll.pdf pdf_icon

STS126

STS12NH3LLN-channel 30 V - 0.008 - 12 A - SO-8ultra low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS12NH3LL 30 V

 9.2. Size:324K  st
 sts12nf30l.pdf pdf_icon

STS126

STS12NF30LN-channel 30V - 0.008 - 12A SO-8STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS12NF30L 30V

 9.3. Size:526K  st
 sts12n3llh5.pdf pdf_icon

STS126

STS12N3LLH5N-channel 30 V, 0.0068 , 12 A, SO-8 STripFET V Power MOSFETDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax5STS12N3LLH5 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STS2302A , FDMC7680 , STS2301A , FDMC7692 , STS2301 , FDMC7692S , STS2300S , FDMC7696 , IRF3205 , FDMC8015L , FDMC8026S , STP80L60 , FDMC8200 , STP70L60 , FDMC8200S , STP656F , FDMC8462 .

 

 
Back to Top

 


 
.