STP70L60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP70L60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP70L60
STP70L60 Datasheet (PDF)
stb70l60 stp70l60.pdf
GrerrPPrPrProSTB/P70L60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDHigh power and current handling capability.60V 80A 10 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)
stp70ns04zc.pdf
STP70NS04ZCN-channel clamped 8m - 80A TO-220Fully protected SAFeFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP70NS04ZC Clamped
stb70nf03l stp70nf03l stb70nf03l-1.pdf
STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V
stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdf
STB70N10F4, STD70N10F4STP70N10F4, STW70N10F4N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATEPower MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTB70N10F4 100 V
Otros transistores... FDMC7692S , STS2300S , FDMC7696 , STS126 , FDMC8015L , FDMC8026S , STP80L60 , FDMC8200 , IRF540 , FDMC8200S , STP656F , FDMC8462 , FDMC8554 , FDMC86102 , STP652F , FDMC86102L , STP60L60F .
Liste
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