STP70L60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP70L60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP70L60 datasheet
stb70l60 stp70l60.pdf
Gre r r P Pr Pr Pro STB/P70L60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID High power and current handling capability. 60V 80A 10 @ VGS=10V TO-220 & TO-263 package. D G STB SERIES STP SERIES TO-263(DD-PAK)
stp70ns04zc.pdf
STP70NS04ZC N-channel clamped 8m - 80A TO-220 Fully protected SAFeFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP70NS04ZC Clamped
stb70nf03l stp70nf03l stb70nf03l-1.pdf
STB70NF03L STP70NF03L - STB70NF03L-1 N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB70NF03L 30V
stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdf
STB70N10F4, STD70N10F4 STP70N10F4, STW70N10F4 N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK Features Type VDSS RDS(on) max ID STB70N10F4 100 V
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