STP70L60 - аналоги и даташиты транзистора

 

STP70L60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP70L60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP70L60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP70L60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  samhop
 stb70l60 stp70l60.pdf pdf_icon

STP70L60

GrerrPPrPrProSTB/P70L60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDHigh power and current handling capability.60V 80A 10 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)

 9.1. Size:269K  st
 stp70ns04zc.pdf pdf_icon

STP70L60

STP70NS04ZCN-channel clamped 8m - 80A TO-220Fully protected SAFeFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP70NS04ZC Clamped

 9.2. Size:466K  st
 stb70nf03l stp70nf03l stb70nf03l-1.pdf pdf_icon

STP70L60

STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V

 9.3. Size:971K  st
 stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdf pdf_icon

STP70L60

STB70N10F4, STD70N10F4STP70N10F4, STW70N10F4N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATEPower MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTB70N10F4 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDMC7692S , STS2300S , FDMC7696 , STS126 , FDMC8015L , FDMC8026S , STP80L60 , FDMC8200 , IRF540N , FDMC8200S , STP656F , FDMC8462 , FDMC8554 , FDMC86102 , STP652F , FDMC86102L , STP60L60F .

 

 
Back to Top

 


 
.