HMS28N65F Todos los transistores

 

HMS28N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMS28N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

HMS28N65F Datasheet (PDF)

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 hms28n65 hms28n65d hms28n65f.pdf pdf_icon

HMS28N65F

HMS28N65/HMS28N65D/HMS28N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 110 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 28 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and ind

 6.1. Size:676K  cn hmsemi
 hms28n65t.pdf pdf_icon

HMS28N65F

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History: BUK7208-40B | SFR9034TF | FQPF27P06 | CS1N60A1H | IRFS250A | IRFS254 | BUK6610-75C

 

 
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